我国第三代半导体材料制造设备取得新突破 从科技部获悉， 近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。 通常，国际上把碳化硅(Si治疗癫痫病好的医院是哪家C)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第率的关键技术有很高的要求，长期以来制约着我国第三代半导体材料的规模化、产抗癫痫药物副作用业化发展。 在国家863计划的4-6英寸通用型SiC单晶炉，实现了“零微管”(微管密度1个/cm2)河北治疗癫痫病4英寸SiC单晶衬底和低缺陷密度的6英晶片，并制备了1200V、1700V、3300V、8药物治疗癫痫病需要注意的问题000V碳化场上批量推广使用。 上一篇：影响胶料焦烧性能的主要原因有哪些_dxb.120ask.com 下一篇：安徽政协委员邓琳琳呼吁全民运动体验运动快乐_dxb.120ask.com |
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